作为自旋谷电子学 prospective 材料的自旋谷半金属
强关联电子
2019-03-06 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
半金属性（费米表面的完全自旋极化）通常出现在强关联电子系统中。我们证明，在弱耦合区域对自旋密度波绝缘体进行掺杂也可以稳定半金属态。未掺杂的自旋密度波由四个嵌套能带形成 [即，每个能带以电荷（电子/空穴）和自旋（上/下）标签为特征]。在这四个能带中，只有两个能带积累了掺杂载流子，形成半金属双谷费米表面。根据参数的不同，电子型谷和空穴型谷的自旋极化可能 (i) 平行或 (ii) 反平行。(i) 的费米表面是完全自旋极化的（类似于通常的半金属）。情况 (ii) 被称为“自旋谷半金属”，对应于关于自旋谷算符的完全极化。本文讨论了这些态的性质。
引用
@article{arxiv.1704.01727,
title = {Spin-valley half-metal as a prospective material for spin-valley-tronics},
author = {A. V. Rozhkov and A. L. Rakhmanov and A. O. Sboychakov and K. I. Kugel and F. Nori},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.01727},
year = {2019}
}
备注
6 pages, 2 eps figures