硅烯与锗烯中的交流/直流自旋与谷霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2013-06-25 v1
摘要
本文从理论上探讨了硅烯、锗烯及其他类似二维晶体的本征自旋和谷霍尔电导率。特别关注了本征自旋轨道耦合、电子掺杂以及系统绝缘相类型（即拓扑绝缘体或能带绝缘体）的影响，其中绝缘相类型可通过垂直电场进行调控。在有限频率下，可以控制具有特定自旋和谷标记的载流子流向的横向边缘，从而获得特定自旋与谷指数组合的积累。研究发现，流动方向取决于绝缘相的类型。在与带间跃迁起始相关的某些入射光子频率处，霍尔电导率响应的幅值相较于直流值有所增强。本文给出了直流和有限频率情况的解析结果。
引用
@article{arxiv.1306.4591,
title = {AC/DC Spin and Valley Hall Effects in Silicene and Germanene},
author = {Calvin J. Tabert and Elisabeth J. Nicol},
journal= {arXiv preprint arXiv:1306.4591},
year = {2013}
}
备注
Accepted in Phys. Rev. B