Be、B及C同位素的质子半径

我们在反对称化分子动力学（AMD）框架下，利用自旋宇称投影后变分的理论方法，研究了Be、B和C同位素点质子分布均方根半径（质子半径）的中子数（$N$）依赖性。Be和B同位素的质子半径随$N$增加而急剧变化，反映了沿同位素链的团簇结构变化；而C同位素的质子半径则表现出弱的$N$依赖性，这是因为$Z=6$的原子核具有稳定的质子结构。在丰中子Be和B同位素中，由于长椭形变中子结构中双中心团簇结构的增强，质子半径显著增大。我们将计算所得质子半径的$N$依赖性与由同位素位移确定的电荷半径导出的实验值，以及由电荷改变相互作用截面推导出的实验值进行了比较。研究发现，质子半径的$N$依赖性可作为探针，用以澄清团簇结构的增强与减弱。