探测半导体-超导体异质结构中的拓扑量子临界点
强关联电子
2012-04-19 v2
摘要
拓扑量子临界点 (TQCP) 非平凡一侧的量子基态具有独特的性质，使其成为量子信息应用极具吸引力的候选者。最近的一个例子是半导体平台上的 s 波超导性，它通过外部塞曼场跨越 TQCP 调控至拓扑超导 (TS) 态。尽管 TS 态具有许多吸引人的特性，但 TQCP 本身并不破坏任何对称性，这使得在常规体相测量中无法区分 TS 态与常规超导体。在这里我们表明，对于半导体 TQCP，可以通过在整个拓扑量子临界区内追踪合适的体相输运性质来克服这一问题。普适的低能有效理论以及相关敏感度的标度形式也提供了一个有用的理论框架，用于理解半导体异质结构中的拓扑相变。基于我们的理论，本文提出了具体的体相测量方法，以表征半导体异质结构中新颖的 TQCP。
引用
@article{arxiv.1106.5506,
title = {Probing a topological quantum critical point in semiconductor-superconductor heterostructures},
author = {Sumanta Tewari and J. D. Sau and V. W. Scarola and Chuanwei Zhang and S. Das Sarma},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.5506},
year = {2012}
}
备注
8+ pages, 5 figures, Revised version as accepted in PRB