LaSb中压力诱导的拓扑相变：第一性原理研究
材料科学
2017-08-30 v1
摘要
通过第一性原理电子结构计算，我们预测极端磁阻材料 LaSb 在施加3至4 GPa静水压下发生拓扑相变而不破坏任何对称性，同时其电子能带结构中仍保持电子-空穴补偿。因此，除了电子-空穴补偿之外，LaSb 还为研究拓扑性质在 XMR 现象中扮演的独立角色提供了一个理想平台。这对拓扑材料中 XMR 效应与拓扑性质之间的关系具有普遍意义。
引用
@article{arxiv.1706.04029,
title = {Pressure-induced topological phase transition in LaSb: First-principles study},
author = {Peng-Jie Guo and Huan-Cheng Yang and Kai Liu and Zhong-Yi Lu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.04029},
year = {2017}
}
备注
6 pages, 4 figures, 2 tables