纤锌矿半导体量子阱中室温下极长电子自旋寿命的预测
介观与纳米尺度物理
2012-05-02 v2
摘要
许多提出的自旋电子学器件需要室温下具有长自旋寿命的可移动电子。实现这一目标的一种途径是使用具有可调自旋轨道（SO）参数的量子阱。研究主要集中在闪锌矿材料（如GaAs）上，但这些材料在室温下不具备长自旋寿命。我们表明，纤锌矿（w）材料由于是低Z材料而具有较小的SO耦合，更适合自旋电子学应用。这导致预测在氦温度下，w-AlN中的自旋寿命超过2毫秒，并且与自旋电子学器件相关的是，在室温下自旋寿命可达0.5微秒。
引用
@article{arxiv.1003.0494,
title = {Prediction of extremely long electron spin lifetimes at room temperature in wurtzite semiconductor quantum wells},
author = {N. J. Harmon and W. O. Putikka and R. Joynt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.0494},
year = {2012}
}
备注
4 pages, 1 figures. Accepted for publication in Applied Physics Letters