异质外延量子点有序性的预测与理解

异质外延自组装量子点（SAQD）将在电子学和光电子学领域带来突破。SAQD 是 Stranski-Krastanow 生长的结果，即在形成初始浸润层后，生长中的平面薄膜变得不稳定。常见的系统有 Ge$_{x}$Si$_{1-x}$/Si 和 In$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs。对于实际应用，SAQD 阵列需要具备有序性。本文通过一个简单的表面扩散随机模型，研究了晶体各向异性、随机初始条件和热涨落对 SAQD 形成早期阶段 SAQD 有序性的影响。通过线性和微扰非线性分析对表面扩散进行了分析。阐明了晶体各向异性在增强 SAQD 有序性中的作用。研究还发现，当沉积薄膜在接近临界浸润面高度（标志着非平面薄膜生长的开始）处演化时，SAQD 的有序性会得到增强。