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基于变分离散作用理论的多轨道莫特系统精确基态

强关联电子 2023-11-08 v2

摘要

确定多轨道 Hubbard 模型的基态对理解强关联电子材料至关重要,然而现有方法难以同时达到零温度与无穷系统尺寸。事实上的标准做法是用 d=d=\infty 版本近似有限维多轨道 Hubbard 模型,其可借助动力学平均场理论(DMFT)形式化求解,但 DMFT 解受限于零温度与多轨道情形下无偏杂质求解器的水平。近期发展的变分离散作用理论(VDAT)提供了求解 d=d=\infty Hubbard 模型的新途径,其变分拟设由整数 N\mathcal{N} 控制,并以递增的计算代价单调逼近精确解。本文提出一种解耦最小化算法以在 d=d=\infty 多轨道 Hubbard 模型中实现 VDAT,并研究 N=24\mathcal{N}=2-4。在 N=2\mathcal{N}=2 时,VDAT 严格恢复多轨道 Gutzwiller 近似,复现已知结果。在 N=3\mathcal{N}=3 时,VDAT 以可忽略的计算代价精确捕捉两轨道 Hubbard 模型在整个参数空间中 Hubbard UU、Hund JJ 与晶体场 Δ\Delta 之间的竞争。对于足够大的 U/tU/tJ/UJ/U,我们证明 Δ\Delta 在莫特绝缘体制内驱动一级相变。在有限 J/UJ/U 的大轨道极化极限下,我们发现即便对于小 U/tU/t,相互作用也具有非平凡效应。VDAT 将对理解多轨道模型哈密顿量与强关联电子材料具有深远影响。

关键词

引用

@article{arxiv.2206.08433,
  title  = {Precise ground state of multi-orbital Mott systems via the variational discrete action theory},
  author = {Zhengqian Cheng and Chris A. Marianetti},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2206.08433},
  year   = {2023}
}

备注

14 pages, 5 figures