Janus MoSSe 单层中由点缺陷限制的载流子迁移率

点缺陷通常在 Janus MoSSe 生长过程中形成，充当内置散射器并影响基于 Janus MoSSe 的电子器件中的载流子传输。本研究采用第一性原理计算方法，探讨了常见缺陷（如硫空位、硒空位和硒硫取代）对电子传输的影响，并将其影响与由声子导致的迁移率限制进行比较。我们定义饱和缺陷浓度 ($C_{\mathrm{sat}}$) 为总迁移率仍保持在声子极限值 90% 以下的最高缺陷密度，作为器件可容忍缺陷数量的直接衡量标准。基于 $C_{\mathrm{sat}}$，我们发现缺陷影响存在明确的排序：硒取代硫相对容忍，$C_{\mathrm{sat}}\approx2.07\times10^{-4}$，而硒空位最为敏感，$C_{\mathrm{sat}}\approx3.65\times10^{-5}$。我们的 $C_{\mathrm{sat}}$ 基准及缺陷等级提供了针对 Janus MoSSe 高迁移率场效应晶体管、电子器件和传感器制造的定量、材料特定的设计准则。