点接触搜索反铁磁巨磁阻

我们报告了首次测量大电流密度对含两层反铁磁层、被非磁性层隔开的磁性多层膜中电流垂直于平面磁阻（MR）的影响。这些测量旨在寻找一种最近预测的反铁磁巨磁阻（AGMR），类似于含两层铁磁层、被非磁性层隔开的多层膜中所见的GMR。我们报告了从点接触向含有不同组合层的三明治结构（F = CoFe，AFM = FeMn）注入电流时的MR测量。除AFM/N/AFM、F/AFM/N/AFM和F/AFM/N/AFM/F结构外，初步结果还促使我们研究了AFM/F/N/AFM、F/AFM以及单F层和单AFM层结构。在低电流下，所有样品中均未观测到MR，且仅含AFM的样品在任何电流密度下也未观测到MR。这些结果共同表明这些样品中不存在AGMR。含F层的样品在高电流密度下有时产生小的正MR——高场下电阻最大。对于给定的接触电阻，该MR通常随F层厚度增加而增大；对于给定的电流，它通常随接触电阻增大（即接触面积减小）而增大。我们暂时将该正MR归因于高电流下F层周围及内部自旋积累的抑制。