体相隧道结中电导的平面波多体修正

使用 Landauer 公式评估体相金属--绝缘体--金属结的电导，其中电子结构通过密度泛函理论（DFT）及更高层次（即包含使用杂化泛函（HSE）的精确非局域交换或许多体 $G_0W_0$ 与 COHSEX 准粒子（QP）方案）在平面波基组下进行的 \textit{ab initio} 计算获得。我们考虑一个 Ag/MgO/Ag 异质结构模型，并关注零偏压电导随 MgO 膜厚度的演化。我们的研究表明，超越半局域密度泛函的电子结构修正朝着改善与实验一致性的正确方向进行，显著降低了零偏压电导。该效应在较大 MgO 厚度（即增强的隧穿区）下更为明显。我们还观察到，电导的降低似乎更多与波函数而非能量的修正相关，因此与体相 MgO 带隙的修正无直接关系。$G_0W_0$ 与 HSE 均提供与实验一致的_corrected 带隙，但仅 HSE 给出电导的显著降低。COHSEX 虽高估带隙，却给出与 HSE 非常接近的电导降低。