单层高温超导体的平面空穴掺杂浓度与有效三维空穴掺杂浓度

Tatsuya Honma; Pei Herng Hor

doi:10.1016/j.physc.2007.04.079

单层高温超导体的平面空穴掺杂浓度与有效三维空穴掺杂浓度

超导电性 2009-11-11 v2 天体物理学材料科学强关联电子

作者: Tatsuya Honma , Pei Herng Hor

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摘要

我们提出高温超导体的物理性质可以通过二维平面空穴掺杂浓度( $P_{pl}$ )或有效三维空穴掺杂浓度( $P_{3D}$ )来描述。我们发现,对于单层高温超导体,超导转变温度( $T_c$ )在 $T_c$ 对 $P_{3D}$ 的图中表现出普遍的穹顶形行为,其最优掺杂浓度位于 $P_{3D}$ $\sim$ 1.6 $\times$ 10 $^{21}$ cm $^{-3}$ 。

关键词

高温超导体空穴掺杂浓度超导转变温度穹顶形行为单层超导体

引用

@article{arxiv.cond-mat/0606594,
  title  = {Planar hole-doping concentration and effective three-dimensional hole-doping concentration for single-layer high-$T_c$ superconductors},
  author = {Tatsuya Honma and Pei Herng Hor},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0606594},
  year   = {2009}
}

备注

2pages, 2 figures, submitted to Physica C (Proceedings of M2S-HTSC VIII) ; Ref. 10 is revised

单层高温超导体的平面空穴掺杂浓度与有效三维空穴掺杂浓度

摘要

关键词

引用

备注

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