通过$^{63}$Cu NMR研究HgBa$_{2}$Ca$_{2}$Cu$_{3}$O$_{8+\delta}$中的均匀空穴掺杂
超导电性
2019-11-25 v1 强关联电子
摘要
我们利用富Cu同位素的三层CuO超导体HgBaCaCuO（欠掺杂 = 124 K，最优掺杂 = 134 K），通过Cu NMR自旋回波技术研究了其局域磁性。内层Cu(1)位点的Cu核自旋-晶格弛豫率(1/)和自旋Knight位移的温度依赖关系在正常态中与外层Cu(2)位点几乎相同。由(1/)最大值定义的赝能隙温度在欠掺杂 = 124 K样品中为190 K，在最优掺杂 = 134 K样品中为143 K。NMR结果表明三层中空穴分布均匀，这与能带理论预言的三重简并费米面合并一致。对于Hg系多层铜氧化物超导体，室温面内取决于每个晶胞中CuO面数为偶数还是奇数。
引用
@article{arxiv.1903.01526,
title = {Uniform hole doping in HgBa$_{2}$Ca$_{2}$Cu$_{3}$O$_{8+\delta}$ studied by $^{63}$Cu NMR},
author = {Y. Itoh and A. Ogawa and S. Adachi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.01526},
year = {2019}
}
备注
8 pages, 7 figures, to be published in J. Phys.: Conf. Ser. (2019)