多层高温铜氧化物超导体中平面CuO_2空穴密度的估算
超导电性
2011-06-14 v1
摘要
我们报告了高温铜氧化物超导体中平面CuO_2空穴密度可通过Cu-NMR奈特移位一致地确定。在单层和双层铜氧化物中，室温下奈特移位的自旋部分K_s(300 K)随空穴密度p从欠掺杂区到过掺杂区单调增加，表明K_s(300 K)与p的关系是确定p的可靠方法。通过对具有四方对称性的单层和双层铜氧化物的超精细磁场和自旋磁化率的p依赖性研究，证实了该K_s(300 K)-p关系的有效性。此外，将分析结果与三层Ba_2Ca_2Cu_3O_6(F,O)_2、HgBa_2Ca_2Cu_3O_{8+delta}和五层HgBa_2Ca_4Cu_5O_{12+delta}的NMR数据进行比较，表明K_s(300 K)-p关系普遍适用于具有三个以上CuO_2平面的多层化合物。我们指出，测量K_s(300 K)能够分别估算多层化合物中每个CuO_2平面的p，其中掺杂的空穴载流子在外CuO_2平面和内CuO_2平面之间是不等价的。
引用
@article{arxiv.1103.3407,
title = {Planar CuO_2 hole density estimation in multilayered high-T_c cuprates},
author = {Sunao Shimizu and Shiho Iwai and Shin-ichiro Tabata and Hidekazu Mukuda and Yoshio Kitaoka and Parasharam M. Shirage and Hijiri Kito and Akira Iyo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.3407},
year = {2011}
}
备注
7 pages, 5 figures, 2 Tables, to be published in Physical Review B