Hg1201和Hg1212中奈特位移对空穴浓度的依赖关系
超导电性
2015-08-21 v1 强关联电子
摘要
我们研究了单层CuO2高温超导铜氧化物HgBa2CuO4+d和双层HgBa2CaCu2O6+d中63Cu奈特位移对空穴浓度的依赖关系。我们发现，在单层超导体中，室温下的自旋奈特位移作为空穴浓度的函数，与双层超导体中的情况不同。自旋奈特位移与空穴掺杂水平之间的两种类型关系可用于估算晶胞中非等价CuO2面的各自空穴浓度。
引用
@article{arxiv.1501.02337,
title = {Knight shift vs hole concentration in Hg1201 and Hg1212},
author = {Y. Itoh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1501.02337},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 4 figures, submitted to Physics Procedia, ISS2014 (27th International Symposium on Superconductivity, Tokyo)