高阻钱德拉ACIS CCD中反向退火的物理机制
天体物理学
2009-11-13 v1 仪器与探测器
摘要
发射后，钱德拉X射线天文台上的焦平面仪器——先进CCD成像光谱仪(ACIS)，在穿越地球辐射带期间因暴露于软质子而遭受辐射损伤。损伤的一个效应是增加了前照式CCD的电荷转移效率(CTI)。作为初始损伤评估的一部分，焦平面从工作温度-100°C升温至+30°C，这出乎意料地进一步增加了CTI。我们报告了旨在更好理解这一反向退火过程的实验室ACIS CCD辐照实验结果。六个CCD在低温下被能量范围为100 keV至400 keV的质子辐照，然后按照三种退火循环之一进行模拟烘烤。我们展示了这些实验室实验的结果，将其与我们之前在地面和飞行中的经验进行比较，并推导出退火时间常数的限制。
引用
@article{arxiv.0807.1721,
title = {Physics of reverse annealing in high-resistivity Chandra ACIS CCDs},
author = {C. E. Grant and B. LaMarr and G. Y. Prigozhin and S. E. Kissel and S. K. Brown and M. W. Bautz},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.1721},
year = {2009}
}
备注
9 pages, to appear in Proc. SPIE 7021, "High Energy, Optical and Infrared Detectors for Astronomy"