不同二进制标记的多级闪存性能：多用户视角
信息论
2016-05-04 v1 math.IT
摘要
本工作中，我们研究每块中每页独立编码的多级闪存的不同解码方案性能。我们关注多级单元(MLC)闪存，其被建模为遭受非对称噪声的双用户多址信道。针对编程/擦除(P/E)循环模型和数据保留模型，研究了将干扰当作噪声(TIN)解码和连续消除(SC)解码的均匀速率区和和速率。我们考察了单元电平的不同二进制标记的影响，以及存储器输出的进一步量化（即附加读取阈值）的影响。最后，我们将分析扩展到三级单元(TLC)闪存。
引用
@article{arxiv.1605.00738,
title = {Performance of Multilevel Flash Memories with Different Binary Labelings: A Multi-User Perspective},
author = {Pengfei Huang and Paul H. Siegel and Eitan Yaakobi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.00738},
year = {2016}
}