多级单元闪存中贝塔-二项信道模型的容量
信息论
2016-09-02 v2 math.IT
摘要
贝塔-二项（BBM）信道模型最近被提出，用于建模多级单元（MLC）闪存中经验观测到的比特错误的过离散统计特性。本文研究了用于MLC闪存的BBM信道模型的容量。利用复合信道方法，我们首先证明了BBM信道模型容量为零。然而，通过经验观察，这似乎是对闪存信道容量非常悲观的估计。我们提出了一种改进的信道模型，称为截断支撑贝塔-二项（TS-BBM）信道模型，并推导了其容量。利用来自1X-nm和2Y-nm MLC闪存的实证错误统计，我们将TS-BBM信道模型容量作为编程/擦除（P/E）循环应力的函数进行了数值估计。2-TS-BBM信道模型的容量为闪存芯片的编码速率提供了上界，前提是假设使用单个二进制纠错码。
引用
@article{arxiv.1605.02233,
title = {On the Capacity of the Beta-Binomial Channel Model for Multi-Level Cell Flash Memories},
author = {Veeresh Taranalli and Hironori Uchikawa and Paul H. Siegel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.02233},
year = {2016}
}
备注
13 pages, final version, accepted for publication in IEEE Journal on Selected Areas in Communications