基于经验误差分析的多级单元闪存信道模型
信息论
2016-11-17 v2 math.IT
摘要
我们针对多级单元（MLC）闪存提出了二进制离散参数化信道模型，该模型通过建模在编程/擦除（P/E）循环应力下经验观察到的误差特性，提供准确的 ECC 性能估计。通过对来自两家不同供应商的 1X-nm 和 2Y-nm MLC 闪存芯片的详细经验误差表征，我们观测并刻画了每个 ECC 帧中比特错误数的过度离散现象。像二进制非对称信道（BAC）模型这样被广泛研究的信道模型无法提供准确的 ECC 性能估计。因此，我们提出了基于贝塔-二项概率分布（2-BBM 信道模型）的信道模型，它很好地拟合了过度离散的经验误差特性，并且通过针对 BCH、LDPC 和极化码的统计检验与仿真结果证明，2-BBM 信道模型在 MLC 闪存中提供了准确的 ECC 性能估计。
引用
@article{arxiv.1602.07743,
title = {Channel Models for Multi-Level Cell Flash Memories Based on Empirical Error Analysis},
author = {Veeresh Taranalli and Hironori Uchikawa and Paul H. Siegel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.07743},
year = {2016}
}
备注
Revised to add additional results and discussion, 13 pages, submitted to IEEE Transactions on Communications