基于无序 $\rm{Sb}$ 单层异质结构中拓扑相的完美谷滤波器
介观与纳米尺度物理
2018-02-21 v1
摘要
外延生长在 衬底上的氢化 单层是一种新型二维材料，承载量子自旋-量子反常霍尔（QS-QAH）态。对于由 单层条带构成的器件，属于单一谷的 QAH 边缘态位于条带的对边。而 QSH 边缘态则属于另一谷，并分布在同一条边的极窄区域内。本文发现此类材料可用于制备完美谷滤波器。采用散射矩阵方法与格林函数方法，计算了在安德森无序、边缘缺陷和边缘形变存在下的谷分辨输运与局域电流空间分布。数值结果表明，在上述三类中等强度无序存在时，载流子能以近乎完美的谷极化无耗散地流动。此外，当器件变长时，输运电流不减小，而谷滤波器工作得更好。其根源在于无序可破坏 QSH 边缘态，但谷极化的 QAH 边缘态能很好保持。
引用
@article{arxiv.1711.08168,
title = {Perfect valley filter based on topological phase in disordered $\rm{Sb}$ Monolayer Heterostructure},
author = {Shu-guang Cheng and Rui-zhi Zhang and Jiaojiao Zhou and Hua Jiang and Qing-Feng Sun},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.08168},
year = {2018}
}
备注
5 figures