高阶拓扑绝缘体中的部分晶格缺陷
介观与纳米尺度物理
2019-12-30 v2 材料科学
摘要
非零的弱拓扑指数被认为是将单一螺旋模束缚于晶格位错上的必要条件。在本工作中，我们表明高阶拓扑绝缘体（HOTIs）实际上可以在缺乏弱拓扑指数的情况下，沿螺位错或边缘位错（包括台阶边）宿主单一螺旋模。当这种情况发生时，螺旋模必然束缚于以分数 Burgers 矢量表征的位错，其宏观上由堆垛层错的存在所探测。部分缺陷上螺旋模的鲁棒性通过恢复堆垛层错中平移对称性的绝热变换得以证明。我们给出两个 HOTI 例子，一个内禀一个外禀，它们在部分位错处展现螺旋模。由于部分缺陷和堆垛层错在块体晶体中十分常见，此类螺旋模的存在可显著影响其预期电导率。
引用
@article{arxiv.1809.03518,
title = {Partial lattice defects in higher order topological insulators},
author = {Raquel Queiroz and Ion Cosma Fulga and Nurit Avraham and Haim Beidenkopf and Jennifer Cano},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.03518},
year = {2019}
}
备注
5 pages, 2 figures and supplementary information