用于量子计算的氧化物-半导体材料
量子物理
2015-06-26 v1
摘要
可扩展容错量子计算机架构要求量子门在量子比特退相干时间的一小部分内运行，并在由退相干率设定的带宽上以高精度操作。Si中的电子自旋量子比特因长退相干时间（~0.5 ms）而有前景，但电学门控方案仍似有问题。氧化物-半导体异质结构有潜力利用铁电氧化物中的光学整流对半导体中的门操作实现精确电学控制。利用现有技术可实现对铁电体中电极化的精确（~80 dB）、局域（~10 nm）、动态（>THz）且可编程的光学控制。光学技术亦可用于量子计算的快速初始化，并提供经初始化的量子比特源以用于量子纠错。将在所提出的基于铁电耦合电子自旋与Ge量子点的Si量子信息处理器框架内讨论光学方法的优势。
引用
@article{arxiv.quant-ph/0209008,
title = {Oxide-Semiconductor Materials for Quantum Computation},
author = {Jeremy Levy},
journal= {arXiv preprint arXiv:quant-ph/0209008},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 2 figures, 1 table. To appear in Physica Status Solidi(b), proceedings of 275th Heraeus Seminar on "Hardware Concepts for Quantum Computing"