p-HEMT 中低频负电导率分散的起源
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1
摘要
对 AlGaAs/InGaAs 伪异质 HEMT 的低频电导率分散进行了不同温度下的测量，并进行了电导深电荷浦度谱(CDLTS) 研究。实验结果表明，在 AlGaAs/InGaAs 异物界处存在缺陷态。我们发展了一种 mobility degradation 模型，以解释低频负电导率分散以及 CDLTS 光谱中显现的孔类峰。该模型包含由于相邻 AlGaAs/InGaAs 异物界残余电荷态导致的 2DEG mobility 随时间变化的 ionized impurity 散射效应。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0503640,
title = {Origin of Low-Frequency Negative Transconductance Dispersion in p-HEMT},
author = {V. R. Balakrishnan and Vikram Kumar and Subhasis Ghosh},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0503640},
year = {2009}
}