少层 MoS2、WS2 和 WSe2 中间接光学跃迁的起源
材料科学
2014-03-17 v1
摘要
已充分证实，单层 MX2（M=Mo,W 且 X=S,Se）是直接带隙半导体，其带边重合于 K 点，这与具有间接带隙的多层对应物形成对比。在少层 MX2 中，沿{\Gamma}-K 线存在两个能量相近的谷。对于在该厚度范围内哪一个谷构成导带底（CBM），目前知之甚少。我们通过考察间接激子光致发光（PL）的温度依赖性漂移，研究了少层 MX2 中的导带谷结构。晶格的高度各向异性热膨胀及其相应的能带结构演化，导致涉及 K 谷和{\Lambda}谷（{\Gamma}-K 中点）的间接跃迁呈现出截然不同的峰位漂移。我们确定了间接发射的起源，并同时确定了这些谷的相对能量。我们的结果表明，在少层 WSe2 中，这两个谷在能量上存在竞争。
引用
@article{arxiv.1309.0923,
title = {Origin of indirect optical transitions in few-layer MoS2, WS2 and WSe2},
author = {Weijie Zhao and R. M. Ribeiro and Minglin Toh and Alexandra Carvalho and Christian Kloc and A. H. Castro Neto and Goki Eda},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.0923},
year = {2014}
}
备注
20 pages, 5 figures