单带 Hubbard 模型中的投影排序：DMRG 研究
强关联电子
2026-01-14 v1 超导电性
摘要
在半填充或接近半填充的费米系统中，如果哈密顿量中未显式包含特定的超导配对通道，就可以通过抑制竞争配对通道来增强该通道。例如，通过抑制 -波库仑配对来增强延拓 -波关联。这一现象最初通过广义不确定性关系的使用发现，称为“投影排序”。零 Hubbard 在热力学极限下的情形通过解析解确认了这一机制。本研究进一步系统地研究了在方格上具有有限 Hubbard 且具有扩展 hopping 参数的强相关费米子 Hubbard 模型中的这一机制。我们利用密度矩阵正则化群计算探讨了抑制其中一个配对通道后不同配对通道行为的特征。我们的发现为在我们所研究的强相关系统中存在“投影排序”提供了数值证据。我们还研究了 Hubbard 强度、最近邻 、空穴掺杂以及趋近热力学极限的有限-size效应。
引用
@article{arxiv.2408.05578,
title = {Order by projection in single-band Hubbard model: a DMRG study},
author = {Shuyi Li and Cheng Peng and Yue Yu and B. Sriram Shastry and Chunjing Jia},
journal= {arXiv preprint arXiv:2408.05578},
year = {2026}
}