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银掺杂氧化铜薄膜的光电性质

应用物理 2023-07-26 v1 材料科学

摘要

与块体金属相比,薄膜性质得到显著改善,因而在广泛领域中获得应用。金属氧化物薄膜日益用于各领域,尤其在功能应用中十分重要。根据材料、掺杂剂和制备路线,它们可呈p型或n型。氧化铜是p型金属氧化物的例子,应用于太阳能电池、光电化学电池、气体传感器、超级电容器和热电触摸探测器。氧化铜(I)与氧化铜(II)均可生长,其中较低价态氧化物在低温下稳定,较高价态通过高温退火获得。本工作中,我们通过热蒸发工艺路线掺杂银,改性氧化铜薄膜的光学与电学性质。铜热蒸发至基底上,银在此过程中共蒸发。随后薄膜在不同环境条件下退火以获得氧化铜。对相同条件下制备的未掺杂与银掺杂氧化铜薄膜进行结构与功能比较。热蒸发是获得掺杂金属氧化物的简易路线,该工艺可推广至多种其他体系。

关键词

引用

@article{arxiv.2307.13649,
  title  = {Optoelectronic properties of silver doped copper oxide thin films},
  author = {Vishal Mohade and Krishna Kumar and Parasuraman Swaminathan},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2307.13649},
  year   = {2023}
}

备注

13 pages, 9 figures, 3 tables