Epitaxial rare-earth doped complex oxide thin films for infrared applications
光学
2024-02-20 v1 材料科学
摘要
稀土掺杂剂因其窄光学线宽和卓越的相干特性，成为激光光电子学、传感、照明和量子信息技术等广泛应用中研究最广泛的光发射中心之一。外延掺杂氧化物薄膜可作为有前景且可控的主体材料，用于研究适用于可扩展量子存储器、片上激光器和放大器的稀土掺杂剂。在此，我们报告了通过脉冲激光沉积生长的用于红外光电子和量子存储应用的高质量 Tm 掺杂 CaZrO外延薄膜。我们进行了广泛的结构和化学表征，以探测薄膜的结晶度和掺杂行为。低温光致发光测量显示在 1.75 - 2 \mu m 的短波红外范围内存在尖锐的辐射跃迁。
引用
@article{arxiv.2402.12358,
title = {Epitaxial rare-earth doped complex oxide thin films for infrared applications},
author = {Mythili Surendran and Joshua Rollag and Christopher E. Stevens and Ching-Tai Fu and Harish Kumarasubramanian and Zhe Wang and Darrell G. Schlom and Ricky Gibson and Joshua R. Hendrickson and Jayakanth Ravichandran},
journal= {arXiv preprint arXiv:2402.12358},
year = {2024}
}
备注
17 pages, 4 figures