用于量子技术的稀土掺杂硅酸钇(Y2SiO5)薄膜的化学气相沉积生长
光学
2024-02-23 v1
摘要
正硅酸钇（Y2SiO5 - YSO）是用于量子技术应用的最有希望容纳稀土（RE）离子的晶体之一。在这种基质中，它们确实表现出窄的光学和自旋线宽，可用于开发量子存储器或量子信息处理能力。在本文中，我们提出了一种基于直接液体注入化学气相沉积（DLI-CVD）在硅片上生长稀土掺杂硅酸盐薄膜的新方法。我们优化了沉积和退火条件，以实现高温X2-YSO相的形成。通过评估嵌入该氧化物基质中的Eu3+离子的光学性质，评估了薄膜的相纯度和晶体质量。基于结果，我们讨论了可能的相形成机制，以及这种新型晶圆兼容形式的YSO在量子技术应用中的潜力。
引用
@article{arxiv.2402.14445,
title = {Rare-earth doped yttrium silicate (Y2SiO5) thin films grown by chemical vapour deposition for quantum technologies},
author = {Suma Al-Hunaishi and Anna Blin and Nao Harada and Pauline Perrin and Philippe Goldner and Diana Serrano and Alexandre Tallaire},
journal= {arXiv preprint arXiv:2402.14445},
year = {2024}
}
备注
14 pages, 7 figures