优化材料介电常数的Drude-Lorentz模型：半导体实例
光学
2017-05-16 v1
摘要
用简单解析函数近似材料介电常数的频率色散对于理解和建模其光学性质具有基本重要性。通常，介电常数可在复频率平面中视为解析函数，具有可数个简单极点，这些极点决定了介电常数的色散，极点权重对应于介质在这些共振处的广义电导率。由此产生的Drude-Lorentz模型将零实部频率处的极点（欧姆定律和Drude极点）与具有有限实部的极点（Lorentz极点）分开。为求得此类解析函数的参数，我们最小化模型与介电常数测量值之间误差加权偏差。我们展示了针对各种半导体（Si、GaAs和Ge）、不同频率范围以及模型中最多考虑五对Lorentz极点的此类优化示例。
引用
@article{arxiv.1705.05218,
title = {Optimizing the Drude-Lorentz model for material permittivity: Examples for semiconductors},
author = {Hame S Sehmi and Wolfgang Langbein and Egor A Muljarov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.05218},
year = {2017}
}
备注
arXiv admin note: substantial text overlap with arXiv:1612.06925