单层 WS2 中荧光空间穿孔效应的光学控制

掺杂在电气和光学性质方面在半导体中起着关键作用。在本工作中，我们报告了单层 WS2 中荧光空间穿孔效应的观察与光学控制。我们证明，显著的激子-激子湮灭过程结合高效捕获掺杂硫空位中的空穴，导致显著的光掺杂效应，最终导致荧光空间穿孔。通过双束泵浦荧光成像技术，我们揭示了空间穿孔效应的恢复过程呈双指数行为。快速恢复过程源于在探测光束照射下被捕获空穴的释放，而缓慢过程则对应于电子亲缘气体分子的再吸附。意外的是，我们的结果表明，电子亲缘硫空位可实现超长期的空穴存储。此外，空穴的释放及其释放速率可通过激光照射完全控制。这些发现表明了过渡金属硫化物在开发光控激子器件方面的巨大潜力。