倾斜磁场中整填充因子电子双层系统的能隙打开
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v2
摘要
我们采用磁电容测量来研究倾斜磁场中门电压调控电子密度分布的双层系统的能谱。在正常磁场下填充因子 和 4 的耗散态中，发现平行磁场分量导致费米能级处能隙的打开。我们用平行场引起的朗道波函数（具有不同量子数的两个子带）的正交性破缺来解释这一效应。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0003325,
title = {Opening an energy gap in an electron double layer system at integer filling factor in a tilted magnetic field},
author = {E. V. Deviatov and V. S. Khrapai and A. A. Shashkin and V. T. Dolgopolov and F. Hastreiter and A. Wixforth and K. L. Campman and A. C. Gossard},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0003325},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures included, to appear in JETP Letters