石墨烯中的边缘磁等离激元：栅极屏蔽与耗散效应
介观与纳米尺度物理
2019-09-25 v3
摘要
在不同朗道能级填充因子下研究了量子化磁场中石墨烯边缘的磁等离激元。为求得模式频率，在自洽玻恩近似中计算了磁场中无序石墨烯的光电导率张量，并采用Wiener-Hopf方法求解非局域电磁问题。在考虑金属栅极屏蔽与石墨烯中能量耗散的情况下，对磁等离激元色散关系、速度与衰减长度进行了数值与解析研究。磁等离激元速度在邻近栅极存在时减小，并作为填充因子的函数振荡，这是由于当费米能级位于朗道能级中心附近时发生耗散诱导的频率抑制，与近期实验一致。
引用
@article{arxiv.1905.05105,
title = {Edge magnetoplasmons in graphene: Effects of gate screening and dissipation},
author = {Alexey A. Sokolik and Yurii E. Lozovik},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.05105},
year = {2019}
}
备注
9 pages, 5 figures; Appendices A and B discussing the problems of conductivity calculations were added