利用高阻 ZnO 栅极抑制栅极对边缘磁等离激元的屏蔽
介观与纳米尺度物理
2020-06-04 v1 强关联电子
摘要
我们通过测量 InAs 量子霍尔系统中边缘磁等离激元（EMPs）的速度，研究了一种在吉赫兹范围内抑制栅极与低维电子系统间高频耦合的方法。我们比较了三种具有不同电磁环境的样品中的 EMP 速度——一个具有高通阻氧化锌（ZnO）顶栅，一个具有普通金属（Ti/Au）顶栅，另一个无栅极。ZnO 栅极样品中测得的 EMP 速度比 Ti/Au 栅极样品大一个数量级，且与无栅极样品几乎相同。众所周知，Ti/Au 栅极样品中较小的速度源于 EMP 中电场的屏蔽。ZnO 栅极样品中栅极屏蔽效应的抑制，使我们能够在改变电子密度的同时测量未屏蔽 EMP 的速度。这也提供了一种避免量子霍尔边缘通道与栅电极间不必要高频耦合的途径。
引用
@article{arxiv.2006.01996,
title = {Suppression of Gate Screening on Edge Magnetoplasmons by Highly Resistive ZnO Gate},
author = {N. Kumada and N. -H. Tu and K. -i. Sasaki and T. Ota and M. Hashisaka and S. Sasaki and K. Onomitsu and K. Muraki},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.01996},
year = {2020}
}