On the T-linear resistivity of cuprates: theory

通过将 optimally doped 铜氧化物中的电子体系分为两个电子组成部分：(1) 氧亚格子上的可移动电子；(2) 铜亚格子上的局域自旋，并考虑可移动电子（位于氧亚格子上）通过在局域亚系统（铜自旋）中产生 paramagnon 而与之散射，我们询问当 T-linear 电阻率出现时，电子-paramagnon 耦合矩阵元 $M_q$ 应具有何种形式。这种‘逆向工程方法’导致 $|M_q|^2 \sim \frac{1}{q^2+\xi(T)^{-2}}$。我们评论了此类耦合如何在存在短程磁关联的二维系统中出现。在其他 words，量子临界性在本问题中发挥了关键作用。T-linear 电阻率要求磁关联长度按 $\xi(T)\propto\frac{1}{T}$ 缩放，这在铜氧化物的量子临界 regime（即 optimal doped 处）中似乎是合理的假设。