抑制三声子散射后，Enriched Cubic Boron Arsenide中异常光学声子相干性

立方体硼砷化物（BAs）是下一代电子器件的热优良半导体，其卓越的准双极迁移率与热导率归因于三声子散射的抑制。然而，精确计算高阶非谐声子散射过程仍具挑战，致使关于BAs声子寿命及热导率极限的疑问仍存。本文表明，在宽温度范围内，BAs中(zone-center)光学声子几乎消除三声子散射，导致>98%同位素纯度的^11BAs在100K以下实现纪录级声子相干性（品质因子>3.7×10^3）。我们通过高分辨拉曼光谱与傅里叶红外光谱，鉴别三种声子耗散机制及其温度依赖性贡献。对于合成晶体，发现缺陷散射对光学声子线宽贡献可忽略不计，仅次于同位素散射。这些结果为阐明BAs光学声子内外散射机制提供关键洞见，为量化非谐效应及实现卓越声子传输奠定基础。