论中微子的电荷半径

我们使用 pinch 技术在单圈阶构造了中微子电荷半径，它是有限的，既不依赖于所采用的规范固定参数，也不依赖于规范固定方案，且与过程无关。该定义仅源于有效的光子-中微子单圈顶点，而无需参考箱图或自能贡献。我们批判性地检验了 $WW$ 箱图在这一构造中的作用。特别地，我们证明了将有效 WW 箱图从中微子电荷半径定义中排除并非出于约定，而是在目标费米子为右手极化时动力学实现的。以此方式，我们获得了有效自能、顶点和箱图的唯一分解，它们各自分别保持电弱规范不变性。我们详细阐述了在单圈阶强制产生 Feynman 图中纵向动量之间巨大抵消的机制的树阶起源，特别是与理论的非阿贝尔特性相关的那些抵消。进一步澄清了与已知的 pinch 技术和背景场法之间联系相关的各种问题。给出了中微子电荷半径的显式闭合表达式。