关于压力下碳化硅的熔化
材料科学
2012-10-12 v1
摘要
研究了碳化硅在 5-8 GPa 压力和高达 3300 K 温度下的熔化过程。研究发现 SiC 发生同成分熔化，其熔化曲线具有 -44 +/- 4 K/GPa 的负斜率。
引用
@article{arxiv.1210.3244,
title = {On melting of silicon carbide under pressure},
author = {Petr S. Sokolov and Vladimir A. Mukhanov and Thierry Chauveau and Vladimir L. Solozhenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.3244},
year = {2012}
}
备注
5 pages, 2 figures