微米级隧道结中涨落诱导隧道导电的观测

采用电子束光刻技术制备了微米级 Al/AlO$_{x}$/Y 隧道结。通过 O$_{2}$ 辉光放电在 Al 底电极上生长了薄（$\approx$ 1.5--2 nm 厚度）绝缘 AlO$_{x}$ 层。在 1.5--300 K 的宽温度范围内测量了结的零偏置电导 $G(T)$ 和电流 - 电压特性。除了在低 $G$ 结中观察到的直接隧道导电机制外，高 $G$ 结揭示了一种独特的电荷输运过程，表现为通过短纳米缩颈的热涨落诱导隧道导电 (FITC)。我们将 FITC 机制的实验实现归因于 AlO$_{x}$ 层中由于大的结势垒界面粗糙度而形成的“热点”（不完全针孔）。