通过RuO₂纳米线接触的涨落诱导隧穿导电
介观与纳米尺度物理
2011-09-26 v1
摘要
对纳米接触中电子传导过程的深入理解是实现功能性纳米电子器件的关键一步。我们研究了单个金属RuO₂纳米线(NW)与通过简单光刻预图案化的接触Au电极之间纳米接触的电流-电压(I-V)特性。我们研究了低偏压欧姆区接触电阻的温度行为以及高偏压非欧姆区的I-V曲线。我们发现，在1-300 K的宽温度区间内，电子传导过程可以用涨落诱导隧穿(FIT)导电理论很好地描述。结合我们之前的工作(Lin等人，《纳米技术》第19卷，365201 (2008))，其中纳米接触是通过精细的电子束光刻制备的，我们的研究证明了FIT模型在表征电子纳米接触中的普遍有效性。
引用
@article{arxiv.1108.3497,
title = {Fluctuation-induced tunneling conduction through RuO$_2$ nanowire contacts},
author = {Yong-Han Lin and Juhn-Jong Lin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.3497},
year = {2011}
}
备注
6 pages, 5 figures