电压驱动离子迁移产生的非晶HfO2基类铁电FET突触行为的数值研究
材料科学
2025-02-25 v1 计算物理
摘要
使人工神经网络更像人脑的持续努力要求硬件元件实现生物突触类似的功能。与传统的铁电开关器件相比，最近实验展示的类铁电FET有望实现低功耗运行。本研究提出了一种内部数值工具，可自洽求解静电学和随时间变化的电子与离子输运。该工具被用于分析迁移率和离子浓度等各种物理参数对类铁电FET设计的影响。同时，还展示了它们在模拟生物突触不同功能方面的适用性。
引用
@article{arxiv.2502.17101,
title = {Numerical study of synaptic behavior in amorphous HfO2-based ferroelectric-like FETs generated by voltage-driven ion migration},
author = {Juan Cuesta-Lopez and Mohit D. Ganeriwala and Enrique G. Marin and Alejandro Toral-Lopez and Francisco Pasadas and Francisco G. Ruiz and Andres Godoy},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.17101},
year = {2025}
}
备注
19 pages, 8 figures, 1 table, paper