单层 MoS₂ 中电荷约束激子的数值研究

我们研究了在单层 MoS₂ 中对激子在量子线中进行约束的问题，其中约束通过 p-i-n 异构结构实现。我们采用有效质量激子模型并进行数值求解，反映实验状态下的器件几何结构。该方法使我们能够探讨整个受约束态的谱系。我们展示了量子约束的出现，并研究了受约束态随电压门 voltages 变化的特性，这些参数在实验中可调。我们发现，受约束态可分为明亮态和暗态，其中暗态具有较小但有限的振荡强度。它们的振荡强度低于实验检测阈值，然而明亮激子态的谱系与最近的实验测量结果一致。我们的结果为超越基态的受约束激子态提供了理论依据，并为开发新的约束方案以及探索先前未检测到的暗态提供了可能性。