梯度CdZnSe/ZnSe纳米晶中的非方势阱轮廓与非闪烁效应：一项电离能理论研究
强关联电子
2010-06-01 v4
摘要
随机闪烁的纳米晶近期引发了大量且激烈的理论和实验研究。通过制备非闪烁的CdZnSe/ZnSe梯度纳米晶，最终取得了实验突破[Nature 459 (2009) 686]。在此，我们报告了(1)一项明确且详细的理论研究，以理解势阱的性质以及Zn含量相对于纳米晶半径的分布，并(2)制定一种策略，以发现光致发光(PL)能量峰与由纳米晶中Zn分布导致的势阱之间的关系。我们发现，非方势阱可以以这样一种方式变化，即人们确实可以精确控制任何非自由电子纳米晶中的PL强度和能级差(PL能量峰)。这意味着我们可以完全抑制闪烁，或者，系统地操控PL能量峰和强度以产生非随机闪烁。我们在此开发的理论策略具有普适性，可应用于任何非自由电子纳米晶。
引用
@article{arxiv.0910.0587,
title = {Non-square-well potential profile and non-blinking effect in graded CdZnSe/ZnSe nanocrystals: An ionization-energy theoretic study},
author = {Andrew Das Arulsamy and Uros Cvelbar and Miran Mozetic and Kostya Ken Ostrikov},
journal= {arXiv preprint arXiv:0910.0587},
year = {2010}
}
备注
Published online in Nanoscale (2010). Different from published version