拓扑绝缘体中电场驱动俘获电荷迁移导致的非局域化学势调控
介观与纳米尺度物理
2020-04-07 v1
摘要
拓扑绝缘体（TIs）具有狄拉克色散和螺旋自旋织构的奇特表面态，在自旋电子学和量子计算等新应用中潜力巨大。调控这些材料中的化学势虽具挑战性，却是实现高效自旋产生1,2、马约拉纳费米子3-5和激子凝聚6,7等备受追捧的奇异物理现象的关键。本文报道一种简单有效的方法，可原位调控单晶Bi2-xSbxSe3纳米带的化学势，调控幅度显著大于传统静电栅控。平行于器件沟道的电场可使化学势在狄拉克点上下移动，且作用范围涵盖沟道内外。我们将这种非局域可逆化学势调控归因于电场诱导的缺陷态间电荷跳跃，并得到光电流成像的进一步支持。我们的方法为拓扑绝缘体中化学势分布的工程化设计提供了可能，并为研究这些材料中电荷及复合粒子的基本输运机制开辟了广阔机遇。
引用
@article{arxiv.2004.01847,
title = {Non-local Chemical Potential Modulation in Topological Insulators Via Electric Field Driven Trapped Charge Migration},
author = {Yasen Hou and Rui Xiao and Senlei Li and Lang Wang and Dong Yu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.01847},
year = {2020}
}