通过组分工程调控狄拉克锥中的化学势
介观与纳米尺度物理
2016-03-15 v1 材料科学
摘要
我们报道了利用脉冲激光沉积技术成功制备块体绝缘三元拓扑绝缘体候选材料Bi2Se2Te (BST)。薄膜通过依次烧蚀独立的Bi2Se3 (BS)和Bi2Te3 (BT)靶材沉积而成。通过X射线衍射分析和温度依赖电阻率，我们得出结论：所生长薄膜具有有序的硫族层，且这些薄膜中的化学势位于块体带隙内。为实现任何器件应用中的完全拓扑输运，必须将化学势调控至狄拉克锥的块体带隙中。磁输运数据在低温下表现出显著的二维弱反局域化行为(WAL)。BS和BT薄膜由于化学势未完全位于块体带隙内，未表现出拓扑输运。研究发现，采用这种经济、简单而巧妙的双靶技术生长的BST薄膜可用于沉积四元拓扑绝缘体薄膜，从而在带隙中任意调控化学势。
引用
@article{arxiv.1603.03924,
title = {Tuning Chemical Potential in the Dirac Cone by Compositional Engineering},
author = {R. K. Gopal and Sourabh Singh and Jit Sarkar and Chiranjib Mitra},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.03924},
year = {2016}
}