暴露于莫尔势的石墨烯电子的非线性朗道扇形图
介观与纳米尺度物理
2024-02-06 v1 材料科学
摘要
由于朗道量子化，暴露于垂直磁场中的二维电子的电导表现出振荡，当在以密度和磁场为轴的参数空间中绘制时，会产生线性轨迹的扇形图。无论决定朗道能级能量场依赖性的电子色散细节如何，该扇形图看起来都相同。这并不奇怪，因为电导极小值的位置仅取决于能级简并度，而简并度与磁通呈线性关系。当电子还暴露于二维超晶格势时，在每个朗道带内出现的分形能谱会产生许多额外的振荡，但出于同样的原因，它们也仅产生线性扇形图。在此，我们报道了暴露于莫尔势的石墨烯电子的电导振荡，其违背了这一磁通线性的普遍规律，并将这一反常行为归因于多个子带的同时占据和磁击穿。
引用
@article{arxiv.2311.16412,
title = {Non-linear Landau fan diagram for graphene electrons exposed to a moir\'e potential},
author = {Pilkyung Moon and Youngwook Kim and Mikito Koshino and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Jurgen H. Smet},
journal= {arXiv preprint arXiv:2311.16412},
year = {2024}
}