单层 WS$_2$ 中的中性与带电暗激子
介观与纳米尺度物理
2021-03-31 v1 材料科学
摘要
我们利用低温与偏振分辨磁光致发光实验研究封装于六方 BN（hBN）中单层 WS 的暗激子与暗特里翁性质。我们发现该系统为 型掺杂半导体，且暗特里翁主导发射谱。与先前 WSe 研究一致，我们通过偏振性质辨识出库仑交换相互作用耦合的中性暗激子与灰激子，而暗特里翁未观测到类似效应。将磁场以垂直于和平行于单层平面的两种构型施加，我们测定暗特里翁的 g 因子为 -8.6。其衰变速率接近 0.5 ns，比亮激子长两个数量级以上。
引用
@article{arxiv.2005.14071,
title = {Neutral and charged dark excitons in monolayer WS$_2$},
author = {M. Zinkiewicz and A. O. Slobodeniuk and T. Kazimierczuk and P. Kapuściński and K. Oreszczuk and M. Grzeszczyk and M. Bartos and K. Nogajewski and K. Watanabe and T. Taniguchi and C. Faugeras and P. Kossacki and M. Potemski and A. Babiński and M. R. Molas},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.14071},
year = {2021}
}
备注
6 pages, 6 figures, supplemental material