$n$型掺杂 WS$_2$ 单层中的激子复合体
介观与纳米尺度物理
2021-03-31 v1 材料科学
摘要
我们利用外磁场和第一性原理计算，研究了嵌入六方氮化硼层中的型掺杂WS单层低温光致发光光谱中明显发射线的起源。除中性A激子线外，所有观测到的发射线均与带负电激子有关。因此，我们鉴别出源于亮态（单重态和三重态）与暗态（自旋禁戒和动量禁戒）负三子以及后者光学非活性复合体的声子复制的发射。我们区分了半暗三子与负双激子。基于实验提取和理论计算的因子，我们鉴别出WS中源于激子复合体的三个不同发射族：亮态、谷内暗态和谷间暗态。我们还确定了导带与价带中自旋分裂子带的因子。
引用
@article{arxiv.2012.11509,
title = {Excitonic complexes in $n$-doped WS$_2$ monolayer},
author = {M. Zinkiewicz and T. Woźniak and T. Kazimierczuk and P. Kapuściński and K. Oreszczuk and M. Grzeszczyk and M. Bartos and K. Nogajewski and K. Watanabe and T. Taniguchi and C. Faugeras and P. Kossacki and M. Potemski and A. Babiński and M. R. Molas},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.11509},
year = {2021}
}
备注
Manuscript: 7 pages, 5 figures; SI: 5 pages, 3 figures