半导体层状材料 Bi2O2Se 的本征点缺陷
材料科学
2021-09-14 v5
摘要
Bi2O2Se 是一种新兴的半导体性、空气稳定的层状材料（Nat. Nanotechnol. 2017, 12, 530；Nano Lett. 2017, 17, 3021），其电子迁移率有望超越 MoS2 和黑磷烯，并在下一代高速低功耗电子器件中媲美典型的范德瓦耳斯堆叠层状材料。凭借其功能多样性的前景，它正引起来自光电子学、热电电子学和压电电子学等多个学科迅速增长的关注。在这项工作中，我们全面研究了 Bi2O2Se 中本征点缺陷的电学性质，这是理解该材料基础特性的关键一步。研究了依赖于费米能和原子组分化学势的缺陷分布。结合体缺陷分析，在电荷中性能级模型的简单框架下对表面性质的补充考察，阐明了所观察到的基于 Bi2O2Se 的 FET 的 n 型特征。本工作为通过工程化缺陷以获得所需性质提供了重要指导，这是该新兴层状材料成功应用的关键。
引用
@article{arxiv.1712.00532,
title = {Native point defects of semiconducting layered Bi2O2Se},
author = {Huanglong Li and Xintong Xu and Yi Zhang and Roland Gillen and Luping Shi and John Robertson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.00532},
year = {2021}
}