铒离子注入正硅酸钇晶体中的纳米尺度非线性效应
材料科学
2016-06-29 v1 光学
摘要
在基底所需位置进行掺杂是基于自旋的量子存储器件的一项关键技术。聚焦离子束注入因其高空间分辨率而非常适合这一任务。在本工作中，我们通过共焦光致发光光谱研究了正硅酸钇晶体中离子束注入的铒离子系综。样品温度和注入后退火步骤对注入离子的特性有强烈影响。我们发现热注入会导致更高的离子活化率。在足够高的注量下，注量与离子最终浓度之间的关系变为非线性。我们开发了两个模型来解释观察到的行为。
引用
@article{arxiv.1509.05185,
title = {Nanoscale nonlinear effects in Erbium-implanted Yttrium Orthosilicate},
author = {Nadezhda Kukharchyk and Stepan Shvarkov and Sebastian Probst and Kangwei Xia and Hans-Werner Becker and Shovon Pal and Sergej Markmann and Roman Kolesov and Petr Siyushev and Jörg Wrachtrup and Arne Ludwig and Alexey V. Ustinov and Andreas D. Wieck and Pavel Bushev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.05185},
year = {2016}
}