$\text{Er}^{3+}$离子在$\text{Y}_2\text{SiO}_{5}$中的超精细相互作用：可调微波腔中的电子顺磁共振

利用可调微波谐振腔中的电子顺磁共振实验，分析了掺铒原硅酸钇基态的超精细结构。此项工作源于零磁场下的测量[Phys. Rev. B, 94, 075117, (2016)]与先前发表的、由9.5 GHz标准EPR测量推导的自旋哈密顿量[Phys. Rev. B, 74, 214409, (2006)]之间的不一致。改变磁场强度、谐振腔频率和样品取向的能力，使我们能够监测超精细跃迁频率如何随矢量磁场变化。与[Phys. Rev. B, 74, 214409, (2006)]相比，我们得到了一组不同的自旋哈密顿量参数，这些参数也与其数据大体一致。我们讨论了新自旋哈密顿量参数在超出我们数据的磁场和频率区间外进行预测的可靠性。我们还讨论了为何确定该材料的自旋哈密顿量参数十分困难，并提出了提高模型可靠性的数据收集策略。